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IGBT管

发布时间:2020-04-21



工作原理


ST的功率MOSFET组合提供了从-100v到1700v的广泛击穿电压,具有低栅极电荷和低导通电阻,并结合了最先进的封装。两种高压功率mosfet(MDmesh)的ST工艺技术™) 和低压功率mosfet(带状fet™) 具有增强的功率处理能力,从而产生高效的解决方案。





特征


传导和关断能量损失的最佳权衡

最高结温高达175°C

宽开关频率范围

共封装反并联二极管选项,提高功耗和优化热管理







应用


ST的IGBT在开关性能和通态性能(变型)之间提供最佳的权衡,适用于工业和汽车领域的应用,如通用逆变器、电机控制、家用电器、暖通空调、UPS/SMPS、焊接设备、感应加热、太阳能逆变器、牵引逆变器、车载充电器&快速充电器。



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